Cuando recién nos estábamos acostumbrando al concepto de chiplets, investigadores del MIT presentan una nueva idea que podría revolucionar aún más el diseño de chips, con los dielets, diminutos transistores de nitruro de galio (GaN) que se integran directamente sobre los chips de silicio para mejorar frecuencia, eficiencia y potencia.
Dielets, el nuevo aliado del silicio
El GaN es conocido por ser un semiconductor más rápido y eficiente que el silicio, pero también es costoso y complicado de integrar en procesos CMOS estándar. Para resolver esto, el MIT desarrolló una forma de fabricar transistores GaN por separado, y luego montarlos selectivamente sobre chips ya fabricados, justo donde pueden ofrecer el mayor impacto en rendimiento. Es una idea sencilla pero poderosa, usar boosters físicos en zonas clave del chip.
El proceso, basado en la tecnología de 22 nm de Intel, permite fabricar los transistores GaN con una densidad alta (de solo 240 × 410 micrómetros cada uno), luego cortarlos con láser y montarlos con precisión nanométrica sobre el chip de silicio usando contacto de cobre, mucho más barato y eficiente térmicamente que el oro.
Este enfoque también permitió integrar capacitores de compensación, que estabilizan la señal y aumentan el rendimiento. En pruebas, un amplificador de radiofrecuencia de apenas medio milímetro cuadrado mostró una ganancia de señal superior a cualquier diseño tradicional de solo silicio.
Aunque la tecnología aún no está lista para su uso comercial, los investigadores del MIT creen que los dielets podrían transformar sectores como la electrónica de potencia, las telecomunicaciones e incluso los chips para IA, llevando el rendimiento más allá de los límites actuales del silicio.
Fuente: Mit
